p型GaAs的远红外波段光学特性

作者：刘成; 吴惠桢; 劳燕锋; 李爱珍; 任重桥; 沈文忠

来源：光学学报, 2006, 26(02): 221-224.

DOI：10.3321/j.issn:0253-2239.2006.02.013

• 光学材料
• 光学常数
• 远红外反射光谱
• p型GaAs optical materials
• optical constants
• far-infrared reflectance spectra
• p-type GaAs

砷化镓(GaAs)是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一,为了获得p型GaAs材料在远红外波段的光学特性,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在半绝缘GaAs(100)衬底上生长了掺Be的p型GaAs薄膜材料,其载流子浓度从1.54×1015~1.85×1019cm-3。用远红外变换傅里叶光谱仪测量了其远红外反射光谱,并对反射光谱进行了理论模拟和分析,计算得出了不同空穴浓度的p型GaAs在远红外波段的折射率、消光系数和吸收系数。发现在这一波段消光系数和吸收系数均随着载流子浓度的增加而增大,吸收系数最大值可达到4.0×104cm-1。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 上海交通大学