InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计

郝锐; 马学进; 马昆旺; 周仕忠; 李国强

doi:10.16818/j.issn1001-5868.2013.01.005

摘要

InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响。研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率。论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性。

单位
江门市奥伦德光电有限公司; 华南理工大学; 发光材料与器件国家重点实验室

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更新时间：2020-06-18 01:29

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