精确高阶补偿CMOS带隙基准电路

作者：赵鹏

来源：电子设计工程, 2020, 28(04): 56-59.

DOI：10.14022/j.issn1674-6236.2020.04.012

• 电压基准
• 高阶补偿
• 温度系数
• 带隙基准

为了得到一个更加精确的基准电压,本文对原有的经典的高阶补偿带隙基准电路经行改进。通过在传统的高阶带隙基准源结构上,改变mos管尺寸和增加一个带有反馈的运放,实现了理论分析和电路建模的完全重合。该电路采用UMC0.11μm3.3vCMOS工艺库,-30～120℃的范围内,温度系数从原有的0.42 ppm/℃被优化到0.086 ppm/℃。

• 单位
  榆林学院