采用助熔剂提拉法生长得到近化学计量比L iNbO3晶体。用多种方法测定了晶体组分,结果表明生长得到的晶体中[L i2O]含量为49.80%摩尔分数;对晶体缺陷的研究表明晶体质量有待提高,并分析了晶体中出现包裹物的原因。