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摘要
本发明公开了一种阳极边缘浮空的GaN微波二极管制备方法,主要解决GaN横向微波二极管电容大,频率响应慢的问题。自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)和AlGaN势垒层(4),该沟道层及势垒层上设有圆形凹槽(5),凹槽的外围势垒层上设有环形阴极(6),凹槽的底部、侧壁及凹槽边缘势垒层上方设有阳极(7),且凹槽边缘势垒层上方的阳极与下方势垒层之间设有80-300nm的间隙,形成长度为0.3-2μm的部分阳极浮空结构。本发明能大幅降低GaN微波二极管结电容,显著提高器件频率响应,可广泛应用于微波整流和微波限幅。
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