C波段高效率内匹配功率放大器设计

作者:刘鸿睿; 赵宏亮*; 尹飞飞
来源:电子技术应用, 2023, 46(09): 58-62.
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.223557

摘要

阐述了一款内匹配功率放大器的设计过程和测试结果。该放大器工作在5~5.8 GHz,采用氮化镓HEMT工艺,在28 V漏极供电电压下实现了48 dBm输出功率和55%功率附加效率。同时,该内匹配放大器将栅极和漏极偏置电路设计在芯片内部,无需在外部设计偏置电路,在保证功放性能的同时实现了小型化。该设计充分体现了GaN内匹配电路的高功率、高效率、小型化的优势。

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