一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法

作者：魏嫣莹; 邓俊杰; 王海辉; 李理波; 卢纵

来源：2019-01-16, 中国, ZL201910041055.X.

本发明属于MXene膜的技术领域,公开了一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法。方法：(1)将MAX粉末在盐酸与氟化锂的作用下进行刻蚀,离心,洗涤,干燥,超声分散,获得MXene纳米片溶液；(2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉积,取出,进行冷冻处理,干燥,获得具有垂直孔道结构的MXene膜；电泳沉积的条件：电压为1-36V,时间为10s-30min；所述冷冻处理的温度为-196℃～-100℃。本发明的方法简单,绿色环保,所制备的膜为具有垂直孔道结构,能够加快分子的穿膜速率；本发明的膜在储能、催化、光电材料、生物药物、电磁屏蔽、吸波材料等领域具有广泛的应用前景。

• 单位
  华南理工大学