浮区法生长Lu_2Si_2O_7:Ce晶体的缺陷、光学和闪烁性能研究

作者：冯鹤; 任国浩; 丁栋舟; 李焕英; 徐军; 杨秋红; 徐家跃

来源：无机材料学报, 2013, 28(08): 891-895.

• Lu2Si2O7:Ce
• 浮区法
• 单晶
• 缺陷
• 闪烁性能 Lu2Si2O7:Ce
• floating zone method
• single crystal
• defects
• scintillation properties

通过浮区法制备得到LPS:0.5%Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77~500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77~500 K下的衰减时间谱。研究发现晶体中存在解理开裂和热应力开裂,同时存在两种类型的包裹体,分别包含[Si3O9]6-、23[SiO]n阴离子团和过量的SiO2。由于采用空气为生长气氛,样品中部分Ce3+被氧化为Ce4+。浮区法LPS:0.5%Ce表现出较高的发光效率,约为32000 ph/MeV。随着温度的升高,样品的紫外激发发射谱逐渐向长波方向移动,发射谱谱线随着温度的升高展宽,导致自吸收的增加。衰减时间的...

• 单位
  上海应用技术学院; 上海大学; 材料科学与工程学院; 中国科学院上海硅酸盐研究所