基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计

作者：韦俞鸿; 黄冰; 孙晓玮; 张润曦; **^*

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(04): 262-273.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.20180117.002

• 单刀双掷开关
• 超宽带
• 45nm绝缘体上硅
• 负体偏置

提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在2545GHz的插入损耗为2.53.2dB,隔离度大于19dB。

• 单位
  中国科学院; 华东师范大学; 杭州电子科技大学; 中国科学院大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所