摘要
为探究WS2的光电探测器光电响应特性,本文以机械剥离法制备WS2晶体薄膜,采用定位转移法在氧化硅片衬底上制备WS2光电探测器,对WS2晶体薄膜进行表征分析,测试并分析了器件的光电性能。实验结果表明:对波长260~850 nm范围的光表现出明显的光响应特性,在630 nm波长的光照条件下的光电流、光响应度以及光探测率最高;器件的上升时间和衰减时间分别为0.7 ms和0.5 ms。文中制备的光电探测器具有具有较好的光电响应特性。
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单位西安工业大学; 材料与化工学院