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摘要
采用脉冲直流反应磁控溅射的方式在硅衬底上制备钼(Mo)电极。通过分析单一变量(如工艺真空度、气体流量等工艺参数)对Mo电极性能的影响,结合相关性实验设计规则,探究影响Mo电极性能的关键因素,优化Mo电极制备工艺,对Mo电极薄膜的性能进行表征。实验结果表明:该实验过程简单直观、效率高,能使学生对半导体加工工艺的实验设计及工艺调控有直观体验,可满足微电子及仪器科学与技术等专业实验课程需要。同时,实验成果也可直接应用于微机电系统(MEMS)压电器件、大面积集成电路、软X射线反射元件等多个领域中。
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