碳化硅功率模块焊接工艺研究进展

作者：李帅; 白欣娇^*; 袁凤坡; 崔素杭; 李晓波; 王静辉

来源：微纳电子技术, 2020, 57(02): 163-168.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.02.012

• 碳化硅(SiC)
• 功率模块
• 焊接材料
• 纳米银烧结
• 纳米铜焊膏
• 高温封装

碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节。详细分析了当前国内外业界已使用或正在研究的焊接材料和工艺,包括应用于传统硅(Si)功率模块和SiC功率模块的常规无铅钎料、低温纳米银烧结、固液互扩散连接和纳米铜焊膏等。分析了各种工艺的焊接过程、焊层性能及存在的问题,明确了今后SiC功率模块高温封装焊接技术的发展方向,即低温纳米银烧结技术和固液互扩散技术将会是SiC功率模块焊接工艺的优选。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所