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摘要
为研究氧化限制结构孔径对940nm垂直腔面发射激光器(Vertical-cavitysurfaceemitting laser,VCSEL)特性的影响，本文制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL，并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算，选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为量子阱，并开展了增益-腔模失配设计。在设计优化的基础上，制备了6种氧化孔径的940 nm VCSEL，对其光电输出特性进行测试。氧化孔径4μm的VCSEL，室温下斜率效率为0.93 W/A，最大功率转换效率40.1%；室温下氧化孔径为7μm的器件最大输出功率为12.24 mW；氧化孔径为2μm的器件在室温下最大基横模功率为2.67 mW，该器件在2 mA连续驱动电流下，在10℃到80℃的范围内均可实现边模抑制比大于45 dB的基横模输出。
- 单位
