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摘要
本发明公开了一种氮化物声表面波器件与场效应晶体管的单片集成电路,主要解决氮化物声表面波器件与场效应晶体管难外延集成的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、压电铁电层。势垒层为钪铟铝镓氮材料,压电铁电层为连续外延单晶钪铝氮材料。沟道层至压电铁电层中的刻蚀凹槽形成分隔区,并填充钝化层；该分隔区一侧的压电铁电层与其上叉指电极构成声表面波器件；另一侧设置欧姆接触区及源、漏电极,并与沟道层至压电铁电层、钝化层、栅电极构成场效应晶体管。本发明在外延单晶材料上制备氮化物声表面波器件与场效应晶体管的单片集成电路,提高了电路性能及频段、带宽的匹配性能,可用于通信射频前端的信号处理系统。
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