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摘要
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料，近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升，外延膜生长速率和品质逐步提高，碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同，碳化硅器件必须在外延膜上进行加工，因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置，而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发，结合反应室设计和材料科学的发展，介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展，最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。
