一种具有复合阳极的GaN基肖特基势垒二极管

作者：郑雪峰; 白丹丹; 马晓华; 马佩军

来源：2018-08-28, 中国, CN201810984708.3.

本发明涉及一种具有复合阳极的GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底层(101)、缓冲层(102)和沟道层(103),其中,缓冲层(102)和沟道层(103)依次层叠于所述衬底层(101)上；设置在所述沟道层(103)上的复合势垒层；设置在所述复合势垒层上的阴极(107)、复合阳极和P型AlGaN帽层(106)。本发明实施例的具有复合阳极的GaN基SBD器件在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压,缓解了器件击穿电压与开启电压之间的矛盾,改善了器件的击穿特性和可靠性。

• 单位
  西安电子科技大学