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摘要
对于磷化铟(InP)的合成来说，合成的时间越快、纯度越高，合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高，合成量越大、成本越低。为实现InP的快速大容量合成，分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响。通过对机理的分析，优化了注入合成条件和冒泡速率，提高了注入合成过程的可控性，在3 h内合成了10 kg高纯InP多晶，通过直拉法进一步提拉生长，最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×1015 cm-3,迁移率>4 500 cm2·V-1·s-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础。
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单位中国电子科技集团公司第十三研究所; 专用集成电路重点实验室
