退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

作者：王圣来; 王波; 张光辉; 牛爱芹; 尹鑫; 高樟寿; 房昌水; 孙洵; 李义平

来源：强激光与粒子束, 2004, (04): 437-440.

• 热退火
• KDP晶体
• 消光比
• 干涉 Thermal annealing
• KDP crystal
• Extinction ratio
• Interference

　研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低。

• 单位
  山东大学; 山东轻工业学院; 晶体材料国家重点实验室