InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用

作者：刘安平; 韩伟峰; 黄茂; 罗庆春

来源：强激光与粒子束, 2010, (07): 1665-1667.

• 金属有机物
• 化学气相淀积
• 应变量子阱
• 半导体激光器 metal-organic
• chemical vapor deposition
• InGaAs/GaAs strained quantum-well
• semiconductor laser

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。

• 单位
  重庆大学