富硼体系中立方氮化硼晶体的生长

作者：杜勇慧; 杨旭昕; 吉晓瑞; 杨大鹏; 宫希亮; 苏作朋; 张铁臣

来源：人工晶体学报, 2006, (06): 1268-1271.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2006.06.024

• 富硼
• 立方氮化硼
• 赋色和生长机制 B-rich
• cBN
• growth and coloration mechanism

本文在hBN-L i3N体系中添加不同含量的单质硼(B),研究了cBN晶体在富B条件下的生长特性。结果表明,B进入晶体的位置具有明显的区域选择性。B以占据N(111)面内N空位的方式进入晶体,并与原有的N原子一起形成一个B原子和N原子的(111)面。随着B进入量的增加,越来越多的B原子取代N空位,B和N原子的混合面与邻近的B(111)面叠加,在晶体的中心部位形成颜色较深的三角形阴影并逐步扩展,最后,使晶体完全变成黑色。由于B占据N空位造成原来N的(111)面上有大量硼原子存在,使得晶体沿<111>方向生长困难而有利于沿<100>方向生长,从而形成了八面体或类球形晶体。同时,由于加入的B与部分L...

• 单位
  吉林大学; 超硬材料国家重点实验室