科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用水热合成法制备合金半导体材料Mo1-XWXS2(X为浓度)，并应用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和拉曼光谱仪(Raman)对其形貌和晶体结构进行表征。实验结果表明，由SEM形貌测试发现，随着掺杂浓度的增加，Mo1-XWXS2片状合金材料表面逐渐粗糙；由XRD晶体结构表征发现，随着掺杂浓度的增加，Mo1-X WXS2的晶格常数逐渐增大；在合金材料的拉曼频移中，随着掺杂浓度的增加，Mo1-XWXS2中A1g振动模发生蓝移，而E12g振动模发生红移。通过晶格结构和拉曼频移的检测和分析，证实水热合成法可制备不同浓度的Mo1-XWXS2合金半导体材料。本方法可进一步拓展为二硫族化物合金半导体材料的批量制备方法，为合金半导体器件的制作和设计提供依据。
-
单位机电工程学院
