氧化石墨烯种子层辅助合成单层MoS2二维纳米片

作者：刘兆肃; 郑晓武; 徐海涛^*

来源：东莞理工学院学报, 2020, 27(05): 84-89.

DOI：10.16002/j.cnki.10090312.2020.05.014

• 过渡金属硫化物
• 二维纳米材料
• 化学气相沉积法
• 种子层

精确控制成核点位置是制备高质量二维纳米材料的关键。通过旋涂氧化石墨烯(GO)水溶液,在衬底上分散GO纳米片作为促成核种子层,成功制备了MoS2二维纳米片。MoS2纳米片的拉曼光谱峰位差(A1g-E12g)为19.5 cm-1,其表面与衬底表面的高度差为0.85 nm,说明所生长的MoS2纳米片为单原子层结构。扫描电镜观察到,成核有两种方式,分别是以GO纳米片成核和GO富集MoS2分子成核。两种方式均有助于水平生长单层的MoS2纳米片。

• 单位
  电子工程学院; 华南农业大学