γ射线辐照缺陷对单层MoS2光谱学性质的调控研究

作者：何俊材; 李太申; 佘泳志; 姜郁飞; 陈强; 潘楠^*

来源：低温物理学报, 2023, 45(01): 13-21.

DOI：10.13380/j.ltpl.2023.01.002

• 过渡金属二硫族化合物
• γ射线
• 缺陷
• 光致发光
• 谷极化

围绕着过渡金属二硫族化合物(简称TMDs)材料的研究在近十年来一直是相关领域的热点.本文利用γ射线辐照，在单层MoS2中引入辐照缺陷，利用光谱学手段结合原子力显微术研究辐照缺陷对单层MoS2光谱性质和能谷特性的影响.结果表明，γ射线成功地在单层MoS2中引入了辐照缺陷，辐照缺陷对其室温拉曼谱和光致发光谱(photoluminescence,简称PL)影响较小，但对其低温PL特性有显著影响，并且缺陷态束缚激子呈现出与自由激子截然不同的谷极化特性；相较于自由激子，缺陷态束缚激子的谷极化度对外加磁场的变化更为敏感，并在面外磁场>2 T时达到饱和，保持在约30%.

• 单位
  中国科学技术大学