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摘要
本文基于第一性原理分别计算了Fe, Ag掺杂对单层MoSe2电子结构和光电效应的影响,结果表明:与本征单层MoSe2相比,Fe, Ag掺杂体系的能带更加密集,且费米能级附近均出现了较多杂质能带;通过对分波态密度进行分析,发现其分别是由Fe-3d、Se-4p轨道和Se-4p、Mo-4d轨道所贡献.在近乎整个可见光范围内,Fe, Ag掺杂有效加强了单层MoSe2的光响应能力,其中Ag掺杂效果最好;这可以归结于掺杂显著改变了单层MoSe2费米能级附近的能带结构.即掺杂进一步减小了体系的带隙,更有利于电子跃迁,进而产生较大的光响应.研究结果可为单层MoSe2在光电器件的实际应用提供一定的理论参考.
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