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摘要
CdTe探测器对单能平行光子源的绝对测量之前，需要进行效率刻度。利用MCNP5蒙特卡罗模拟程序建立CdTe探测器物理模型，模拟计算了10～260 keV能量段能点的本征探测效率，在10～60 keV能量段探测效率高于75%。用单能X射线装置和HPGe探测器对CdTe探测器本征探测效率进行了实验刻度。结果表明，在10～100 keV能量范围内CdTe探测器的模拟效率与实验效率趋势一致，最大误差不超过5.6%。因为Te元素在27 keV和32 keV处会产生逃逸峰，导致探测效率在这2个能量处有明显下降趋势。用241Am和133Ba放射源对CdTe探测器进行效率刻度验证，在能量为59.54 keV和81 keV放射源标定的探测效率与单能X射线辐射装置测量值相符。
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