多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响

作者：陈城钊

来源：韩山师范学院学报, 2004, 25(3): 61-64.

DOI：10.3969/j.issn.1007-6883.2004.03.007

• 多晶硅薄膜
• Raman谱
• 晶化率
• 暗电导率

采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结果表明,暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增大.提出了一个简单模型解释了这一现象.

• 单位
  韩山师范学院