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摘要
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管；采用的技术方案为：自下而上设置有4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层,N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅区域,栅区域在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区,左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.05-0.1μm,左侧沟道的宽度为0.5μm,右侧沟道的宽度为1μm,在左侧沟道凹陷区正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域。
- 单位
