本文利用第一性原理计算了二维GaN结构掺Co原子的电子结构以及光学性质。计算结果表明:二维GaN:Co结构优化后N-Co键键长为0.182nm,Ga-N键键长为0.186nm;GaN:Co结构的带隙值为1.093eV,介电函数的实部和虚部均位于0 eV处。通过分析GaN:Co单层的光电特性,为日后GaN:Co单层在光电子器件方面的理论研究奠定理论基础。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
