基于光阻涂覆后硅衬底晶圆边缘“风旋”缺陷的研究

作者：李庆斌; 张晨阳; 朴勇男; 孙会权

来源：信息记录材料, 2020, 21(04): 23-24.

DOI：10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2020.04.009

• 涂胶
• 风旋
• 均一性
• 膜厚

涂胶工艺是光刻技术中重要的步骤,本文介绍了一种基于12inch硅衬底晶圆涂覆光刻胶改善其边缘"风旋"问题的方法,结合实验系统考察了工艺配方中滴胶速度、甩胶时间、甩胶速度、主转速结构等因素对涂胶结果的影响,最终得到了适宜的涂胶工艺,实验采用Barc胶,12inch 晶圆。