在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注。由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响。对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型。通过开关模型提取出其电压变化率和电流变化率,在考虑杂散参数的基础之上寻找其与电压及电流变化率之间的联系。仿真及实验通过搭建buck电路平台,测试其开通和关断波形,提取出开关过程各阶段电压电流的变化率,进一步验证理论分析过程和模型建立的准确性。
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