一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段宽带有源移相器

作者：袁刚; 郭宽田; ***; 叶力群; 范超; 田泽; 耿莉; 桂小琰^*

来源：微电子学, 2020, 50(05): 615-620.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200181

• 有源移相器
• 矢量合成
• 多相滤波网络
• BiCMOS工艺
• 宽温

采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32～38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能。该移相器电路包括输入无源巴伦、多相滤波网络、矢量合成单元、射随器和输出有源巴伦。后仿结果表明,输入输出反射系数均小于-9.5 dB,反向隔离度小于-80 dB,插入损耗优于-6.5 dB。在-55℃～125℃宽温范围内相对相移最大误差小于2.2°,全频带RMS移相误差小于1.5°,RMS增益误差小于0.35 dB。总功耗为18.2 mW,芯片核心面积为0.21 mm2。

• 单位
  成都振芯科技股份有限公司; 西安交通大学; 广东顺德西安交通大学研究院