用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜

作者：熊文文; 何嵩^*; 郑淞生; 程其进; 沈宏勋; 陈朝^*

来源：材料研究学报, 2021, 35(02): 154-160.

• 材料结构与性能
• 稳定制备
• RF-PECVD
• 类金刚石薄膜
• 流量比值
• 衬底位置

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(VCH4/VAr分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜,用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、表面粗糙度、表面形貌和硬度。结果表明:随着VCH4/VAr比例的改变在下极板可制备出含有不同sp3和sp2杂化态比例(Ssp3/Ssp2)的DLC薄膜。随着VCH4/VAr的提高,在下极板沉积的DLC薄膜的Ssp3/Ssp2杂化态比值先上升后下降,VCH4/VAr=1时的Ssp3/Ssp2杂化态比值达到最高1.34;而在上极板沉积的DLC样品其Ssp3/Ssp2比例没有明显的变化。在上极板进气口沉积样品比在下极板出气口沉积样品重复性好,样品更光滑致密、硬度更高。

• 单位
  厦门大学