Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合

作者：曾伊浓; 易映萍^*; 董晓帅

来源：高电压技术, 2021, 47(01): 138-149.

DOI：10.13336/j.1003-6520.hve.20200310007

• 碳化硅
• MOSFET
• 寄生参数提取
• 温度特性
• 贝叶斯正则化
• 人工神经网络

为了对碳化硅(Si C) MOSFET功率器件的特性参数进行全面的研究,提出了一种碳化硅(Si C) MOSFET变温度参数模型,该模型考虑了功率器件中封装引脚寄生电感、内部寄生电容、体二极管等特性参数,并根据器件的开关过程中的不同阶段,将功率器件中的导电沟道等效为不同电路模型。为获取该模型中的涉及的特性参数,搭建了基于Agilent B1505A功率半导体分析仪和矢量网络分析仪(VNA)的测试平台对Si C MOSFET功率器件的静态特性参数进行了全面测量,然后使用基于贝叶斯正则化LM算法的改进BP人工神经网络对所测的数据进行非线性拟合。结果表明,相较于传统拟合方法,该方法具有更高的精确度与泛化能力,为Si C MOSFET功率器件建模与参数分析提供了重要依据。

• 单位
  上海理工大学; 许继集团有限公司