T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备

作者：范道雨; 林罡; 牛斌; 吴少兵

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(01): 40-44.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.01.008

• 太赫兹
• 肖特基二极管
• T栅
• 寄生电容
• 串联电阻

通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO2介质进行钝化保护,比传统工艺约500nm的SiO2介质大幅降低,有效降低了器件寄生电容,研制出截止频率fT(Cj0)8THz、fT(Ctotal)3.9THz的管芯。通过直流I-V测试和小信号S参数测试提取管芯参数,并分析对比了不同阳极直径管芯的性能参数。