四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

作者：李华; 李爱珍

来源：稀有金属, 2004, (03): 572-573.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.2004.03.033

• 量子级联激光器
• X射线衍射 quantum cascade lasers
• X-ray diffraction

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室