采用高温高压方法制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20,测试发现样品具有微米级晶粒和单相的NaCl结构。高压合成的Ag0.8Pb18SbTe20样品为N型半导体,电阻率和Seebeck系数的绝对值随温度的升高而增大。同其它方法制备的AgPb18SbTe20体系材料相比,高温高压方法制备的样品具有较低的电阻率。较低的电阻率导致了较大的功率因子(S2σmax≈17.2μW/cm-1K-2,T≈585K)。