电介质膜增强的Goos-H(a)nchen位移的微波测量

作者：李春芳; 杨晓燕; 段弢; 张纪岳

来源：中国激光, 2006, (6): 753-755.

DOI：10.3321/j.issn:0258-7025.2006.06.007

• Goos-H(a)nchen位移
• 共振增强
• 电介质膜
• 微波测量

如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光束的入射角,使得光束在基底-介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜-空气界面上全反射,那么反射光束的Goos-H(a)nchen(GH)位移在一定条件下会得到共振增强.采用微波技术直接地测量了这种Goos-H(a)nchen位移随电介质膜厚度的变化,测量结果与理论预言吻合得较好.

• 单位
  华中科技大学; 中国科学院西安光学精密机械研究所; 上海大学