掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用

作者：吴惠桢; 刘成; 劳燕锋; 黄占超; 曹萌

来源：江西科学, 2005, (05): 65-69.

DOI：10.13990/j.issn1001-3679.2005.05.019

• 隧道结
• 垂直腔面发射激光器
• 光电特性 Tunnel junction
• VCSEL
• Optoelectronic properties

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧道结。接着在(100)InP衬底上生长了包含p+-A lInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的PIN结VCSEL小,室温下其电致荧光谱波长在1.29μm。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所