碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率高、开关损耗低、电流密度大等优点，是高压大功率变换器中的关键器件之一。但Si C IGBT存在导通电阻高、关断损耗大等缺点。针对上述挑战，对国内外现有的新型Si C IGBT结构进行了总结。分析了现有的结构特点，结合新能源电力系统的发展趋势，对Si C IGBT的结构改进进行了归纳和展望。
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