IGBT 模块故障机理及其预报方法综述

作者：杜明星; 魏克新

来源：世界科技研究与发展, 2010, (06): 741-745+793.

DOI：10.16507/j.issn.1006-6055.2010.06.006

• 绝缘栅极双极晶体管
• 故障机理
• 预报方法
• 封装级
• 器件级 insulated gate bipolar transistors
• failure mechanisms
• prediction method
• packaging level
• chip level

以IGBT模块的内部结构和材料特性为基础,研究了焊料层疲劳、铝键接线断裂或剥离、DCB基片失效等封装级故障产生机理;分析栅氧化层击穿、电过应力、辐射失效等器件级故障的产生机理;最后,分别给出了两大类故障的预报方法。

• 单位
  天津大学