线性差动变压器式位移传感器(LVDT)中,当LVDT处于外部变化缓慢的磁场中,则会产生几百微米的位置误差,而通常的位置误差标准为几十微米。基于磁屏蔽原理提出一种新型LVDT结构,减少外界稳恒磁场的影响。采取有限元的方法在Ansys Maxwell中建立等效模型,通过Maxwell Circuit Editor添加外部激励电源进行联合仿真。研究分析表明该新型LVDT结构能有效减小外磁场对LVDT本身磁路的影响,有效降低位置误差。