溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO_2薄膜与p~+-Si形成的异质结的电致发光

作者：张安邦; 马向阳; 金璐; 杨德仁

来源：发光学报, 2011, (05): 471-475.

• 二氧化钛
• 硅
• 异质结
• 电致发光 TiO_2
• Si
• heterostructure
• electroluminescence

利阿太磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片(p~+-Si)上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO_2薄膜,从而形成TiO_2/p~+ -Si异质结。研究表明:要使TiO_2/p~+ -Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO_2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜。此外,TiO_2的薄膜厚度需要控制在合理的范围。文中对上述结果的物理机制进行了探讨。

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学