一种应用于可见光通信系统的高带宽CMOS APD

作者：王巍^*; 曾虹谙; 王方; 毛鼎昌; 冯世娟; 王冠宇; 袁军

来源：半导体光电, 2021, 42(03): 308-314.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2021.03.002

• 雪崩光电二极管
• 可见光通信
• CMOS
• pn结
• STI保护环
• 带宽
• 响应度

采用标准的0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD)。相较于传统的CMOS APD,该器件在深n阱/p衬底的结构基础上增加一层p阱,再在其上分别离子注入一层n+/p+层作为器件的雪崩击穿层,并且采用STI结构来防止器件边缘过早击穿。仿真结果表明,器件的雪崩击穿电压为9.9V,暗电流为1×10-12 A,3dB带宽为5.9GHz,响应度为1.2A/W。由于STI保护环和短接深n阱/p衬底的结构设计,器件暗电流较传统结构CMOS APD降低了2个量级,且带宽提高了约10%。

• 单位
  重庆邮电大学