工艺参数对GLSI铜互连阻挡层CMP抛光效果的影响

作者：刘光耀; 王辰伟^*; 刘玉岭; 郭峰; 马慧萍; 王强

来源：电镀与涂饰, 2023, 42(01): 46-52.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2023.01.009

• 极大规模集成电路
• 阻挡层
• 铜互连
• 化学机械抛光
• 弱碱性抛光液
• 去除速率
• 表面品质

采用无氧化剂、无抑制剂的弱碱性抛光液对阻挡层材料进行化学机械抛光(CMP)。研究了胶体二氧化硅质量分数、抛光液流量、抛头转速、抛盘转速等工艺参数对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及铜互连钽基阻挡层图形片CMP后表面缺陷数量的影响。在Si O2磨料质量分数7.5%、抛光液流量250 mL/min、抛头转速107 r/min和抛盘转速113 r/min的条件下CMP时，Cu的去除速率为521?/min,TEOS的去除速率为878?/min,TEOS/Cu去除速率选择比为1.68，对图形片表面碟形坑和蚀坑分别修正了400?和200?，缺陷数低至57，表面粗糙度(Sq)低至0.778 nm。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学