导模法生长高质量氧化镓单晶的研究

作者：贾志泰; 穆文祥; 尹延如; **; 陶绪堂

来源：人工晶体学报, 2017, 46(02): 193-196.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2017.02.001

• 氧化镓单晶
• 导模法
• 禁带宽度

使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(β-Ga2O3)单晶。晶体外观完整、无色、无开裂,粉末XRD测试证明所获得的晶体为β相,晶体摇摆曲线半峰宽为93.6",峰形对称,说明晶体质量良好。测试了未掺杂晶体的紫外透过光谱,并推算了晶体的禁带宽度为4.77 eV。此外,还重点讨论了晶体放肩时的工艺参数对晶体质量的影响。

• 单位
  中山大学; 山东大学; 晶体材料国家重点实验室; 光电材料与技术国家重点实验室