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摘要
本发明公开了一种基于Ga-2O-3/AlScN异质结的自驱动日盲探测器及制备方法,该自驱动日盲探测器采用新兴的铁电材料AlScN与Ga-2O-3构成的异质结,通过铁电侧的去极化场调节内置电场的强度及半导体侧的耗尽区宽度,促进光生载流子的分离,提升了Ga-2O-3异质结自驱动日盲探测器的响应度和响应速率。由于AlScN有着与大多数铁电材料不同的高电导率,使得器件性能不会受到电导率的限制。本发明使用的AlScN材料的带隙与Ga-2O-3接近,使得该自驱动日盲探测器不会对日盲波段外的光信号进行响应,提升了该自驱动日盲探测器的探测精度,避免了无关的光信号的干扰。
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