一种具有双层侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管

作者：刘人华; 王昌锋; 田明; 黄琴; 李小进; 孙亚宾; 石艳玲; 廖端泉; 曹永峰

来源：2019-06-05, 中国, ZL201910486506.0.

本发明公开了一种具有双层侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管,该器件具有两层侧墙,靠近纳米片沟道的侧墙使用低介电常数(简称为low-k)和高热导率的材料,远离纳米片沟道的侧墙使用介电常数较高(简称为high-k)的材料。low-k材料构成的侧墙有利于器件的散热,high-k材料沟道的侧墙有利于加强器件栅极和沟道之间耦合作用,从而保证器件在较大的开态电流下仍然具有较好的散热作用。此外,通过改变low-k材料与high-k材料的厚度比例,可以灵活调控器件的散热能力和直流性能。

• 单位
  华东师范大学