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摘要
本实用新型公开了一种具有三明治结构的GaN-HEMT器件,所述GaN-HEMT器件包括外延层和电极,所述外延层包括GaN沟道层和AlyGa1-yN势垒层,并自上而下排布；所述电极包括栅电极、源电极、漏电极和场板电极,场板电极和栅电极分别制作于外延层的上表面和下表面,场板电极延伸超过外延层的区域与栅电极相连接形成三明治结构,源电极和漏电极分别位于所述外延层的两端。在保证导电沟道完整性的同时,使器件的导电沟道受到下栅极和上场板的场效应控制。具有三明治结构的GaN-HEMT器件提高了器件的击穿电压和栅压摆幅,提高了器件的线性度和耐压性能。
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