一种大面积超薄镂空硬掩模的制备方法

作者：胡赵胜; 常晶晶; 林珍华; 张飞娟; 苏杰; 张进成; 郝跃

来源：2020-12-10, 中国, CN202011452269.5.

本发明公开了一种大面积超薄镂空硬掩模的制备方法,主要解决现有技术制备的镂空硬掩模厚度大,面积小的问题。其实现方案是：1)选用双抛硅基片,并进行清洗；2)在双抛硅基片正反两面上生长一层致密氮化硅薄膜；3)在长有致密氮化硅薄膜的基片正面及背面分别进行光刻,在正面的光刻胶上形成与电极图案互补的光刻胶图案,在背面形成对应的窗口图案；4)在表面图案化的基片正面及背面利用干法刻蚀工艺将3)制作的电极图案和窗口图案转移至氮化硅薄膜上；5)将经过4)处理的基片进行湿法刻蚀,并清洗及干燥,除去胶及残留物,获得镂空硬掩模。本发明具有大面积、无形变及可重复利用的优点且生产成本低、效率高,可用于半导体器件的制备。

• 单位
  西安电子科技大学