钽酸锂黑片的制备与性能研究

作者：龙勇; 于明晓; 李和新; 石自彬; 王璐; 丁雨憧; 徐扬; 吴兆刚

来源：压电与声光, 2019, 41(03): 340-343.

• 钽酸锂
• 还原处理
• 电阻率
• 均匀性
• 晶片

为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×1010Ω·cm;在365 nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66 W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10-6 K-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十六研究所